- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录136 > MMDL770T1G (ON Semiconductor)DIODE SCHOTTKY 70V SOD-323 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MMDL770T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 84K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 70V SOD-323 |
| 产品变化通告： | Wire Change 08/Jun/2009 |
| 产品目录绘图： | Rectifer SOD-323 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 70V |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 10mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200nA @ 35V |
| 电容@ Vr, F： | 1pF @ 20V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-76，SOD-323 |
| 供应商设备封装： | SOD-323 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1568 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MMDL770T1GOSDKR |
       MMDL770T1G http://onsemi.com 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Reverse Breakdown Voltage (IR = 10 A) V(BR)R 70 ? ? V Diode Capacitance (VR = 20 V, f = 1.0 MHZ) CT ? 0.5 1.0 pF Reverse Leakage (VR = 35 V) IR ? 9.0 200 nAdc Forward Voltage (IF = 1.0 mAdc) (IF = 10 mA) VF ? ? 0.42 0.7 0.5 1.0 Vdc TYPICAL CHARACTERISTICS Figure 1. Total Capacitance Figure 2. Minority Carrier Lifetime Figure 3. Reverse Leakage Figure 4. Forward Voltage VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) IF, FORWARD CURRENT (mA) VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS) KRAKAUER METHOD f = 1.0 MHz , FORWARD CURRENT (mA) I F , REVERSE LEAKAGE ( A) I R 0.2 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 0.001 0 1020304050 10 1.0 0.1 0.01 0 020406010 30 50 70 9080 100 500 0 0 5.0 10 15 20 25 35 5030 40 45 2.0 1.6 1.2 0.8 100 10 1.0 0.1 400 300 200 100 0.4 , MINORITY CARRIER LIFETIME (ps) , TOTAL CAPACITANCE (pF) C T TA = - °C TA = 85 °C TA = 25 °C TA = 100 °C TA = 75 °C TA = 25 °C MMBD770T1 MMBD770T1 MMBD770T1 MMBD770T1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMDL914T3G | DIODE SW HS 100V 200MA SOD-323 |
| MMSD103T1 | DIODE SWITCHING 250V SOD-123 |
| MMSD3070 | DIODE 200V 200MA SOD123 |
| MMSD4148_D87Z | DIODE SS 100V 200MA SOD-123 |
| MMSD4448 | DIODE 100V 200MA SOD123 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMDL914 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V 200mA 4pF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMDL914T1 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMDL914T1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMDL914T1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SWITCHING DIODE 200mA 100V SOD-323 |
| MMDL914T1G_11 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High-Speed Switching Diode |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。