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参数资料
| 型号： | MMSD4148_D87Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 49K |
| 描述： | DIODE SS 100V 200MA SOD-123 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 10mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123 |
| 供应商设备封装： | SOD-123 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MMSD4148
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
MMSD4148, Rev. B1
Top Marking:
5H
SOD123Color Band Denotes CathodeTop Marking:
BAND DENOTES CATHODE.5H
Absolute Maximum Ratings*
TA
= 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Electrical Characteristics
TA
= 25°C unless otherwise noted
SOD123
Thermal Characteristics
MMSD4148
Small Signal Diode
Symbol
Parameter
Value
Units
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 100 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 200 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
2.0
A
A
Tstg
Storage Temperature Range -55 to +150
°C
TJ
Operating Junction Temperature 150
°C
Symbol
Parameter
Value
Units
PD
Power Dissipation 400 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 312
°C/W
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
VR
Breakdown Voltage
IR = 5.0 μA
75
V
IR = 100 μA
100
V
VF
Forward Voltage
IF = 10 mA 1.0
V
IR
Reverse Current
VR = 20 V
25
nA
VR = 20 V, TA = 150°C
50
μA
VR = 75 V
5.0
μA
CT
Total Capacitance
VR = 0, f = 1.0 MHz
4.0 pF
trr
Reverse Recovery Time IF = 10mA, VR = 6.0 V
4.0 ns
IRR = 1.0 mA, RL = 100 ?
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PDF描述 |
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