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参数资料
| 型号： | MMSD3070 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 186K |
| 描述： | DIODE 200V 200MA SOD123 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 175V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123 |
| 供应商设备封装： | SOD-123 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MMSD3070DKR |
      MMSD3070 — Small Signal Diode ? 2011 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com MMSD3070 Rev. A1 1 January 2011 MMSD3070 Small Signal Diode Absolute Maximum Ratings * Ta = 25°C unless otherwise noted * These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired. Thermal Characteristics Electrical Characteristics Ta = 25°C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VRRM Maximum Repetitive Reverse Voltage 200 V IF(AV) Average Rectified Forward Current 200 mA IFSM Non-repetitive Peak Forward Surge Current Pulse Width = 1.0 second Pulse Width = 1.0 microsecond 1.0 2.0 A A TSTG Storage Temperature Range -55 to +150 °C TJ Operating Junction Temperature 150 °C Symbol Parameter Value Units PD Power Dissipation 400 mW RθJA Thermal Resistance, Junction to Ambient 312 °C/W Symbol Parameter Conditions Min. Max. Units VR Breakdown Voltage IR = 100 μA200 V VF Forward Voltage IF = 100mA 1.0 V IR Reverse Leakage VR = 175V VR = 175V, T A = 150 °C 100 100 nA μA CT Total Capacitance VR = 0, f = 1.0MHz 5.0 pF trr Reverse Recovery Time IF = I R = 30mA, IRR = 1.0mA, R L = 100 Ω 50 ns SOD123 COLOR BAND DENOTES CATHODE TOP MARKING: 33 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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