- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录479 > MMFT960T1 (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MMFT960T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223 |
| 产品变化通告： | Specification Change MSL Updated 2/April/2007 Product Discontinuation 27/Jun/2007 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 300mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.7 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 65pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MMFT960T1OSDKR |
MMFT960T1
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
5
10
4
3
2
1
V GS = 10 V
T J = 125 ° C
25 ° C
1
I D = 1 A
V GS = 10 V
0
0
0.5
1 1.5 2
? 55 ° C
2.5
0.1
? 75
? 50
? 25 0 25 50 75 100
125
150
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance versus Drain Current
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 4. On?Resistance Variation with Temperature
250
225
200
V GS = 0 V
f = 1 MHz
T J = 25 ° C
1
175
150
125
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
100
0.1
75
50
25
C rss
C oss
C iss
0
0.3 0.6 0.9 1.2 1.5
0
0
5
10 15 20 25
30
10
V SD , SOURCE?DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. Source?Drain Diode Forward Voltage
2
V DS , DRAIN?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Capacitance Variation
9
8
7
I D = 1 A
T J = 25 ° C
V DS = 30 V
1.5
V DS = 10 V
6
5
4
V DS = 48 V
1
T J = ? 55 ° C
3
2
0.5
125 ° C
25 ° C
1
0
0
0.5
1
1.5 2 2.5 3
3.5
4
0
0
0.5
1 1.5
2
2.5
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge versus Gate?to?Source Voltage
http://onsemi.com
3
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 8. Transconductance
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMG3002NT1 | IC AMP RF GP 3600MHZ 5.2V SOT-89 |
| MMG3006NT1 | TRANS GPA 33DBM 16-QFN |
| MMG3007NT1 | IC AMP RF GP 6000MHZ 5V SOT-89 |
| MMG3H21NT1 | TRANS HBT 20.5DBM 19.3DB SOT-89 |
| MMH3111NT1 | TRANS GAAS HFET SOT-89 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMFT960T1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 300 mA, 60 Volts N−Channel SOT−223 |
| MMFT960T1G | 功能描述:MOSFET 60V 300mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMFTN123 | 制造商:Diotec Semiconductor 功能描述: |
| MMFTN138 | 制造商:Diotec 功能描述:Bulk |
| MMFTN170 | 制造商:Diotec Semiconductor 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。