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参数资料
| 型号： | MMG3002NT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP RF GP 3600MHZ 5.2V SOT-89 |
| 产品培训模块： | GaAs MMIC Amplifier Solutions |
| 标准包装： | 1 |
| 频率： | 40MHz ~ 3.6GHz |
| P1dB： | 21dBm（125.9mW） |
| 增益： | 20dB |
| 噪音数据： | 4.2dB |
| RF 型： | 通用 |
| 电源电压： | 5.2V |
| 电流 - 电源： | 110mA |
| 测试频率： | 900MHz |
| 封装/外壳： | TO-243AA |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MMG3002NT1CT |
Table 4. Electrical Characteristics (V CC = 5.2 Vdc, 900 MHz, T A = 25 ? C, 50 ohm system, in Freescale Application Circuit)
Characteristic
Small--Signal Gain (S21)
Input Return Loss (S11)
Output Return Loss (S22)
Power Output @ 1dB Compression
Third Order Output Intercept Point
Noise Figure
Supply Current (1)
Supply Voltage (1)
Symbol
G p
IRL
ORL
P1dB
OIP3
NF
I CC
V CC
Min
19.3
—
—
—
—
—
95
—
Typ
20
--16
--12
21
37.5
4.2
110
5.2
Max
—
—
—
—
—
—
125
—
Unit
dB
dB
dB
dBm
dBm
dB
mA
V
1. For reliable operation, the junction temperature should not exceed 150 ? C.
MMG3002NT1
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMG3006NT1 | TRANS GPA 33DBM 16-QFN |
| MMG3007NT1 | IC AMP RF GP 6000MHZ 5V SOT-89 |
| MMG3H21NT1 | TRANS HBT 20.5DBM 19.3DB SOT-89 |
| MMH3111NT1 | TRANS GAAS HFET SOT-89 |
| MML20211HT1 | IC LNA 2GHZ 21P1DB 8DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMG3002NT1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) |
| MMG3002NT1_12 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Heterojunction Bipolar Transistor |
| MMG3003NT1 | 功能描述:射频放大器 20DB 24DBM GEN PURP AMP RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MMG3003NT1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) |
| MMG3003NT1_12 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Heterojunction Bipolar Transistor Technology |
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