参数资料
型号: MMSZ5256-TP
厂商: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 30 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
文件页数: 3/5页
文件大小: 335K
代理商: MMSZ5256-TP
MMSZ5221 thru MMSZ5259
www.mccsemi.com
MCC
TYPICAL REVERSE CURRENT
TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
,mV
/
C)
o
NOMINAL ZENER VOLTAGE, Volts
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
-2
-3
STEADY STATE POWER DERATING
EFFECT OF ZENER VOLTAGE ON ZENER IMPEDANCE
100
10
1
1000
100
10
1
IZ = 1 mA
5 mA
20 mA
DYNAMIC
IMPEDANCE,
W
NORMAL ZENER VOLTAGE, Volts
TJ=25 C
O
IZ(AC)=0.1I
F=1 kHZ
Z(DC)
FOR
W
ARD
CURRENT
,mA
TYPICAL FORWARD VOLTAGE
FORWARD VOLTAGE, Volts
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
1000
100
10
1
75 C
O
5 C
O
25 C
O
150 C
O
TYPICAL CAPACITANCE
100
1000
100
10
1
10
1
BIAS AT
50% OF VZ NOM
0 V BIAS
1 V BIAS
CAP
ACIT
ANCE,
pF
NOMINAL ZENER VOLTAGE, Volts
T =25 C
A
o
100
10
1
NOMINAL ZENER VOLTAGE, Volts
TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
,mV
/
C)
o
10
100
TEMPERATURE ( C)
o
POWER
DISSIP
A
TION,
W
atts
STEADY STATE POWER DERATING
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
150
125
100
75
50
25
PD V.S. TA
155
TM
Micro Commercial Components
3 of 5
Revision: A
2011/01/01
相关PDF资料
PDF描述
MURB820TRRPBF 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MX1N6077US 1.3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
MBR400100CT 200 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MB504-BP 50 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
MA1.5KE10ATRE3 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
MMSZ5257B 功能描述:稳压二极管 33V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5257B RH 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 33V 5% 500mW 2-Pin SOD-123F T/R
MMSZ5257B_Q 功能描述:稳压二极管 33V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5257B-7 功能描述:稳压二极管 33V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5257B-7-F 功能描述:稳压二极管 33V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel