参数资料
型号: MMT05A310T3G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/7页
文件大小: 0K
描述: THYRIST TSPD BIDIR 50A 270V SMA
产品变化通告: TSPD Discontinuation 30/May/2012
标准包装: 1
电压 - 击穿: 365V
电压 - 断路: 270V
电压 - 导通状态: 3V
电流 - 峰值脉冲(8 x 20µs): 150A
电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs): 50A
电流 - 保持 (Ih): 150mA
元件数: 1
电容: 50pF
封装/外壳: DO-214AC,SMA
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: MMT05A310T3GOSCT
MMT05A230T3, MMT05A260T3, MMT05A310T3
Voltage Current Characteristic of TSPD
(Bidirectional Device)
+ Current
Symbol
Parameter
I D1 , I D2
V D1 , V D2
Off State Leakage Current
Off State Blocking Voltage
V TM
V (BO)
V BR
V BO
Breakdown Voltage
Breakover Voltage
I H
I D1
I D2
I (BO)
I BO
Breakover Current
I H
V TM
Holding Current
On State Voltage
V D1
V D2
V (BR)
+ Voltage
100
V D1 = 50V
340
320
10
1
0.1
300
280
260
240
220
200
180
MMT05A310T3
MMT05A260T3
MMT05A230T3
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
160
? 2
?10
0
10
20
30
40
50
60
70
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 1. Off?State Current versus Temperature
0
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 2. Typical Breakdown Voltage versus
Temperature
http://onsemi.com
3
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PDF描述
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