参数资料
| 型号： | MMT05A310T3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | THYRIST TSPD BIDIR 50A 270V SMA |
| 产品变化通告： | TSPD Discontinuation 30/May/2012 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 击穿： | 365V |
| 电压 - 断路： | 270V |
| 电压 - 导通状态： | 3V |
| 电流 - 峰值脉冲(8 x 20µs)： | 150A |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 50A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 1 |
| 电容： | 50pF |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MMT05A310T3GOSCT |
MMT05A230T3, MMT05A260T3, MMT05A310T3
TIP
OUTSIDE
PLANT
OUTSIDE
PLANT
RING
PPTC*
TIP
GND
GND
TELECOM
EQUIPMENT
TELECOM
EQUIPMENT
RING
PPTC*
*Polymeric PTC (positive temperature coefficient) overcurrent protection device
HEAT COIL
TIP
OUTSIDE
PLANT
GND
TELECOM
EQUIPMENT
RING
HEAT COIL
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMT05B310T3G | THYRIST TSPD BIDIR 50A 270V SMB |
| MMT08B260T3G | TSPD BIDIRECT 260V 80A SMB |
| MMT08B310T3 | THYRIST TSPD BIDIR 80A 310V SMB |
| MMT08B350T3G | TSPD BIDIRECT 350V 80A SMB |
| MMT10B310T3G | THYRIST TSPD BIDIR 100A 270V SMB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMT05B23 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Thyristor Surge Protectors |
| MMT05B230T3 | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 265V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| MMT05B230T3_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD |
| MMT05B230T3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 265V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| MMT05B260T3 | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 320V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。