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参数资料
| 型号： | MMUN2130LT3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | MMUN2130LT3 |
MMUN2111LT1 SERIES
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MMUN2111LT1
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
TA = –25°C
25
°C
12
3
4
5
67
8
9
10
0.01
20
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
CE(sat)
,MAXIMUM
COLLECT
OR
VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.1
1
040
60
80
1000
1
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
TA =75°C
–25
°C
100
10
75
°C
50
010
20
30
40
4
3
1
2
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
ob
,CAP
ACIT
ANCE
(pF)
0
TA = –25°C
25
°C
75
°C
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25°C
VO = 5 V
IC/IB =10
VCE = 10 V
0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.1
V
in
,INPUT
VOL
TAGE
(VOL
TS)
1
10
100
10
20
30
40
50
TA = –25°C
25
°C
75
°C
VO = 0.2 V
Figure 1. Derating Curve
250
200
150
100
50
0
–50
0
50
100
150
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(MILLIW
A
TTS)
R
θJA = 625°C/W
Figure 2. VCE(sat) versus IC
Figure 3. DC Current Gain
Figure 4. Output Capacitance
Figure 5. Output Current versus Input Voltage
Figure 6. Input Voltage versus Output Current
25
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW42ZL1 | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MG600Q1US45 | 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG75Q2YS11 | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MPS651RLRE | 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6507RL1 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMUN2130RLT1 | 制造商:LRC 制造商全称:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor |
| MMUN2131 | 制造商:LRC 制造商全称:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor |
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| MMUN2131LT1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MMUN2131LT1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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