- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录133003 > MMUN2130LT3 (MOTOROLA INC) 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMUN2130LT3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | MMUN2130LT3 |
MMUN2111LT1 SERIES
6
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MMUN2113LT1
Figure 12. VCE(sat) versus IC
100
10
1
0.1
0
10
203040
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
in
,INPUT
VOL
TAGE
(VOL
TS)
TA = –25°C
25
°C
75
°C
50
Figure 13. DC Current Gain
Figure 14. Output Capacitance
100
10
1
0.1
0.01
0.001
010
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
25
°C
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
–25
°C
Figure 15. Output Current versus Input Voltage
h
FE
,CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
1000
100
10
1
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
25
°C
–25
°C
Figure 16. Input Voltage versus Output Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
0.01
010
20
30
40
75
°C
25
°C
V
CE(sat)
,MAXIMUM
COLLECT
OR
VOL
TAGE
(VOL
TS)
50
010
20
30
40
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
ob
,CAP
ACIT
ANCE
(pF)
12
3
4
5
6
7
8
9
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25°C
VO = 5 V
VO = 2 V
IC/IB =10
TA =75°C
TA = –25°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW42ZL1 | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MG600Q1US45 | 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG75Q2YS11 | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MPS651RLRE | 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6507RL1 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMUN2130RLT1 | 制造商:LRC 制造商全称:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor |
| MMUN2131 | 制造商:LRC 制造商全称:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor |
| MMUN2131L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k |
| MMUN2131LT1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MMUN2131LT1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。