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参数资料
| 型号： | MPQ2222A |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.5 A, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116 |
| 封装： | PLASTIC, DIP-14 |
| 文件页数： | 19/25页 |
| 文件大小： | 373K |
| 代理商： | MPQ2222A |
MPQ2222 MPQ2222A
2–462
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 3. Normalized DC Current Gain
Figure 4. “ON” Voltages
Figure 5. Temperature Coefficients
Figure 6. Frequency Effects
Figure 7. Source Resistance Effects
1.0
2.0
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
4.0
1.0
0.5
0.3
0.2
1.0
100
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.4
1.0
0.8
0.6
0.4
0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–2.4
20
0.5
2.0
0.1
f, FREQUENCY (kHz)
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
RS, SOURCE RESISTANCE (k OHMS)
10
6.0
4.0
2.0
0
1.0
f = 1.0 kHz
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
10
5.0
20
10
20
7.0
100
200
50
500
2.0
5.0
10
50
200
0.2
+1.6
+0.8
0
–0.8
–1.6
qVC FOR VCE(sat)
25
°C
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
30
70
300
5.0
3.0
0.7
3.0
TJ = 175°C
–55
°C
500
1.2
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 1.0 V
1.0
100
0.5
20
2.0
5.0
10
50
200
500
q
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)
°
0.2
50
100
6.0
8.0
IC = 1.0 mA
0.5
2.0
0.1
1.0
10
5.0
20
0.2
50
100
IC = 10 mA
RS = 4.3 kW
IC = 100 mA
RS = 1.0 kW
100
mA
10
mA
qVB FOR VBE
25
°C TO 175°C
–55
°C TO 25°C
VCE = 1.0 V
VCE = 10 V
V
NOISE FIGURE
(VCE = 10 Vdc, TA = 25°C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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