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参数资料
| 型号： | MPQ2906 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.6 A, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116 |
| 封装： | PLASTIC, DIP-14 |
| 文件页数： | 1/36页 |
| 文件大小： | 374K |
| 代理商： | MPQ2906 |
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2–474
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Quad General Purpose
Transistors
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MPQ2906
MPQ2907
MPQ2907A
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCEO
–40
–60
Vdc
Collector – Base Voltage
VCBO
–60
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
–5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
–600
mAdc
Each
Transistor
Total
Device
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
0.65
6.5
1.9
19
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +125
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
66
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage(1)
(IC = –10 mAdc, IB = 0)
MPQ2906, MPQ2907
MPQ2907A
V(BR)CEO
–40
–60
—
Vdc
Collector – Base Breakdown Voltage
(IC = –10 mAdc, IE = 0)
V(BR)CBO
–60
—
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IE = –10 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
–5.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = –30 Vdc, IE = 0)
MPQ2906, MPQ2907
(VCB = –50 Vdc, IE = 0)
MPQ2907A
ICBO
—
–50
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = –3.0 Vdc, IE = 0)
MPQ2906,7 Only
IEBO
—
–50
nAdc
1. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MPQ2906
MPQ2907
MPQ2907A
*Motorola Preferred Device
CASE 646–06, STYLE 1
TO–116
1
14
*
1
2
3
4
567
14
13
12
11
10
9
8
PNP
REV 3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPQ2907 | 0.6 A, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116 |
| MPQ3467 | 1 A, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116 |
| MPQ3725 | 1 A, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116 |
| MPQ3762 | 1.5 A, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116 |
| MPQ3798 | 50 mA, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-116 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPQ2907 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Quad PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPQ2907A | 制造商:CENTRAL SEMICONDUCTOR 功能描述:MPQ Series 60 V 600 mA PNP Through Hole Silicon Quad Transistor - TO-116 |
| MPQ2907A_12 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:nullPNP SILICON QUAD TRANSISTOR |
| MPQ3303 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:QUAD SWITCHING TRANSISTOR |
| MPQ3410DJ-AEC1-LF-P | 功能描述:Boost Switching Regulator IC Positive Adjustable 2.5V 1 Output 1.3A 制造商:monolithic power systems inc. 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 功能:升压 输出配置:正 拓扑:升压 输出类型:可调式 输出数:1 电压 - 输入（最小值）:1.8V 电压 - 输入（最大值）:6V 电压 - 输出（最小值/固定）:2.5V 电压 - 输出（最大值）:6V 电流 - 输出:1.3A 频率 - 开关:550kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ） 安装类型:* 封装/外壳:* 供应商器件封装:* 标准包装:1 |
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