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参数资料
| 型号： | MPQ2906 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.6 A, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116 |
| 封装： | PLASTIC, DIP-14 |
| 文件页数： | 31/36页 |
| 文件大小： | 374K |
| 代理商： | MPQ2906 |
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MPQ2906 MPQ2907 MPQ2907A
2–477
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 8. Current–Gain — Bandwidth Product
Figure 9. Capacitance
Figure 10. Turn–On Time
Figure 11. Charge Data
Figure 12. Storage Time
Figure 13. Fall Time
1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
600
100
60
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
3.0
20
7.0
5.0
3.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
f T
,CURRENT–GAIN
–
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
t,TIME
(ns)
Q,
CHARGE
(pC)
10
2.0
5.0
20
30
5.0
10
0.2
0.5
1.0
2.0
10
20
30
TJ = 25°C
f = 100 kHz
,ST
ORAGE
TIME
(ns)
400
200
80
0.5
VCE = 20 Vdc
f = 100 MHz
TJ = 25°C
0.3
Cib
Cob
IC/IB = 10
TJ = 25°C
tr
t s
20
100
10
300
200
100
50
20
10
50
,F
ALL
TIME
(ns)
t f
200
300
30
70
30
70
IC/IB = 10
IC/IB = 20
IC/IB = 10
IC/IB = 20
3.0
500
7.0
5.0
VCC = 30 V
IB1 = IB2
TJ = 25°C
500
20
100
10
300
200
100
50
20
10
50
200
300
30
70
30
70
500
7.0
5.0
500
IB1 = IB2
TJ = 25°C
t
′s – ts – 1/8 tf
td
20
100
10
3000
2000
1000
500
200
100
50
200
300
700
30
70
500
7.0
5.0
VCC = 30 V
TJ = 25°C
5000
QT, TOTAL CONTROL CHARGE
QA, ACTIVE REGION CHARGE
20
100
10
300
200
100
50
20
10
50
200
300
30
70
30
70
500
7.0
5.0
500
VCC = 30 V, VBE(off) = 2.0 V
VCC = 10 V, VBE(off) = 0 V
0.7
50
0.7
7.0
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PDF描述 |
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