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参数资料
| 型号： | MPQ3467 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1 A, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116 |
| 封装： | PLASTIC, DIP-14 |
| 文件页数： | 12/34页 |
| 文件大小： | 325K |
| 代理商： | MPQ3467 |
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MPQ3467
2–480
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain(2)
(IC = –500 mAdc, VCE = –1.0 Vdc)
hFE
–20
—
Collector – Emitter Saturation Voltage(2)
(IC = –500 mAdc, IB = –50 mAdc)
VCE(sat)
—
–0.23
–0.5
Vdc
Base – Emitter Saturation Voltage(2)
(IC = –500 mAdc, IB = –50 mAdc)
VBE(sat)
—
–0.90
–1.2
Vdc
SMALL– SIGNAL CHARACTERISTICS
Current – Gain — Bandwidth Product
(IC = –50 mAdc, VCE = –10 Vdc, f = 100 MHz)
fT
125
190
—
MHz
Output Capacitance (VCB = –10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
10
25
pF
Input Capacitance (VEB = –0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Cibo
—
55
80
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn–On Time
(IC = –500 mAdc, IB1 = –50 mAdc)
ton
—
40
ns
Turn–Off Time
(IC = –500 mAdc, IB1 = IB2 = –50 mAdc)
toff
—
90
ns
2. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms; Duty Cycle v 2.0%.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MPQ3725 | 1 A, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116 |
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| MPQ3906 | 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-116 |
| MPQ6001 | 0.5 A, 30 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MPQ3725A | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Quad Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPQ3762 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MPQ3798 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:PNP SILICON QUAD TRANSISTOR |
| MPQ3799 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:PNP SILICON QUAD TRANSISTOR |
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