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参数资料
| 型号： | MPQ3725 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1 A, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116 |
| 封装： | PLASTIC, DIP-14 |
| 文件页数： | 23/35页 |
| 文件大小： | 353K |
| 代理商： | MPQ3725 |
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MPQ3725
2–484
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 2. Active–Region Safe Operating Area
3.0
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
2.0
1.0
0.2
0.3
0.1
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(AMP)
0.05
0.03
0.02
10
4.0
6.0
20
40
60
8.0
0.5
30
SECOND BREAKDOWN LIMITED
THERMAL LIMITATION @ TC = 25°C
PULSE DUTY CYCLE
≤ 10%
APPLICABLE TO RATED BVCEO
dc
10
ms
TJ = 200°C
TYPICAL DC CHARACTERISTICS
Figure 3. DC Current Gain
Figure 4. “ON” Voltages
Figure 5. Collector Saturation Region
Figure 6. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1000
10
0.8
0.4
0.2
0
100
500
0.5
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
+2.5
+1.5
+0.5
–0.5
–1.5
–2.5
20
200
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
500
20
50
100
200
0.6
1.0
1.2
2.0
5.0
10
20
50
30
100
200
500
300
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1000
10
100
60
40
20
h
500
20
50
100
200
80
200
400
1.4
,DC
CURRENT
GAIN
FE
1.0
q
V
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)
°
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
1000
0
–1.0
–2.0
+2.0
+1.0
VCE = 1.0 V
TJ = 125°C
25
°C
–55
°C
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
*
qVC FOR VCE(sat)
*APPLIES FOR IC/IB < hFE/2
qVB FOR VBE
TJ = 25°C
IC = 100 mA
300 mA
500 mA
800 mA
1000 mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPQ3762 | 1.5 A, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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