型号: | MPS3638A |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | Switching Transistor(PNP Silicon) |
中文描述: | 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
封装: | CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN |
文件页数: | 8/8页 |
文件大小: | 215K |
代理商: | MPS3638A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MPS3638AG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 25V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS3639 | 制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:PNP SMALL SIGNAL GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS |
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MPS3642C | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NPN TRANSISTOR |
MPS3646 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 300mA 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |