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参数资料
| 型号： | MPS8599 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors(放大器晶体管) |
| 中文描述： | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | CASE 29-11, TO-226, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | MPS8599 |
(NPN) MPS8098, MPS8099*, (PNP) MPS8598, MPS8599*
http://onsemi.com
5
Figure 13. MPS8098/99 “ON” Voltages
Figure 14. MPS8598/99 “ON” Voltages
NPN
PNP
10
200
1.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
100
T
J
= 25
°
C
V
V
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
0.2
2.0
20
50
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.5
5.0
10
200
1.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
100
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
0.2
2.0
20
50
0.5
5.0
Figure 15. MPS8098/99 Collector Saturation Region
Figure 16. MPS8598/99 Collector Saturation Region
Figure 17. MPS8098/99 BaseEmitter
Temperature Coefficient
Figure 18. MPS8598/99 BaseEmitter
Temperature Coefficient
100
0.5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
3.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
I
B
, BASE CURRENT (mA)
I
B
, BASE CURRENT (mA)
RV
10
R
VB
FOR V
BE
°
RV
°
,
VC
,
VC
1.0
2.0
5.0
20
50
200
100
0.2
10
1.0
2.0
5.0
20
50
200
0.1
10
0.05
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
1.0
T
J
= 25
°
C
I
C
=
100 mA
I
C
=
50 mA
I
C
=
200 mA
I
C
=
20 mA
I
C
=
10 mA
20
2.0
5.0
0.2
0.5
0.2
55
°
C TO 125
°
C
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
3.0
R
VB
FOR V
BE
55
°
C TO 125
°
C
0.5
0.02
0.1
10
0.05
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
1.0
T
J
= 25
°
C
I
C
=
100 mA
I
C
=
50 mA
I
C
=
200 mA
I
C
=
20 mA
I
C
=
10 mA
20
2.0
5.0
0.2
0.5
0.02
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MPS8599RLRAG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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