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参数资料
| 型号： | MPS8599 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors(放大器晶体管) |
| 中文描述： | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | CASE 29-11, TO-226, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | MPS8599 |
(NPN) MPS8098, MPS8099*, (PNP) MPS8598, MPS8599*
http://onsemi.com
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For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specification Brochure, BRD8011/D.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA05 | Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors(放大器晶体管) |
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| MPSA18 | Low Noise Transistor NPN Silicon(NPN低噪声晶体管) |
| MPSA29 | Darlington Transistors NPN Silicon(NPN达林顿晶体管) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPS8599G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS8599RLRA | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS8599RLRAG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS8599RLRM | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors |
| MPS8599RLRMG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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