参数资料
型号: MPSA42M
厂商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: Mini size of Discrete semiconductor elements
中文描述: 迷你型离散半导体元件
文件页数: 1/3页
文件大小: 656K
代理商: MPSA42M
Features
l
Through Hole Package
l
150
o
C Junction Temperature
Mechanical Data
l
Case: TO-92, Molded Plastic
l
Marking:
MPSA42 --------- A42
MPSA43 --------- A43
Maximum Ratings @ 25
o
C Unless Otherwise Specified
Charateristic
Symbol Value
Unit
Collector-Emitter Voltage MPSA42
MPSA43
V
CEO
300
200
300
200
V
Collector-Base Voltage MPSA42
MPSA43
V
CBO
V
Emitter-Base Voltage MPSA42
MPSA43
V
EBO
5.0
V
Collector Current(DC)
I
C
300
625
5.0
1.5
12
mA
mW
mW/
o
C
W
mW/
o
C
Power Dissipation@T
A
=25
o
C
P
d
Power Dissipation@T
C
=25
o
C
P
d
Thermal Resistance, Junction to
Ambient Air
Thermal Resistance, Junction to
Case
Operating & Storage Temperature
200
o
C/W
83.3
o
C/W
T
j
, T
STG
-55~150
o
C
MPSA42
THRU
MPSA43
NPN Silicon High
Voltage Transistor
625mW
Pin Configuration
Bottom View
C
B
E
TO-92
INCHES
MIN
.175
.175
.500
.016
.135
.095
MM
DIM
A
B
C
D
E
G
MAX
.185
.185
---
.020
.145
.105
MIN
4.45
4.46
12.7
0.41
3.43
2.42
MAX
4.70
4.70
---
0.63
3.68
2.67
NOTE
A
E
B
C
D
G
DIMENSIONS
www.
mc c semi
.c om
RJC
RJA
omp
onents
21201 Itasca Street Chatsworth
!
"#
"#
$ %
!
M C C
相关PDF资料
PDF描述
MPSA42 Mini size of Discrete semiconductor elements
MPSA43 Mini size of Discrete semiconductor elements
MPSA43 High Voltage Transistors(NPN Silicon)
MPSA42 XC2S30-6VQG100C - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
MPSA43 High Voltage Transistors
相关代理商/技术参数
参数描述
MPSA42M1 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SO
MPSA42PH 功能描述:TRANS NPN HV 300V 500MA TO-92 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
MPSA42RA 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA42RA_Q 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA42RL1 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 300V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2