参数资料
型号: MPSA42M
厂商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: Mini size of Discrete semiconductor elements
中文描述: 迷你型离散半导体元件
文件页数: 3/3页
文件大小: 656K
代理商: MPSA42M
C
Figure 1. DC Current Gain
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.1
100
0.1
10
1.0
10
1000
Ceb @ 1MHz
Figure 2. Capacitance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
80
70
50
30
20
10
TJ = 25
°
C
VCE = 20 V
f = 20 MHz
f
T
1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 3. Current–Gain – Bandwidth
V
1.4
0.0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
100
10
0.1
1.0
100
1.0
Ccb @ 1MHz
60
40
VBE(on) @ 25
°
C, VCE = 10 V
VBE(on) @ 125
°
C, VCE = 10 V
VBE(on) @ –55
°
C, VCE = 10 V
VCE(sat) @ 25
°
C, IC/IB = 10
VCE(sat) @ 125
°
C, IC/IB = 10
VCE(sat) @ –55
°
C, IC/IB = 10
VBE(sat) @ 25
°
C, IC/IB = 10
VBE(sat) @ 125
°
C, IC/IB = 10
VBE(sat) @ –55
°
C, IC/IB = 10
Figure 4. ”ON” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
120
0.1
1.0
10
100
80
60
0
h
TJ = +125
°
C
25
°
C
–55
°
C
VCE = 10 Vdc
100
20
40
www.
mc c semi
.c om
M C C
MPSA42
thru
MPSA43
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MPSA42M1 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SO
MPSA42PH 功能描述:TRANS NPN HV 300V 500MA TO-92 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
MPSA42RA 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA42RA_Q 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA42RL1 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 300V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2