参数资料
型号: MPSA42M
厂商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: Mini size of Discrete semiconductor elements
中文描述: 迷你型离散半导体元件
文件页数: 2/3页
文件大小: 656K
代理商: MPSA42M
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage(1)
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
MPSA42
MPSA43
V(BR)CEO
300
200
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 100 Adc, IE = 0)
MPSA42
MPSA43
V(BR)CBO
300
200
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 10 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
5.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 200 Vdc, IE = 0)
(VCB = 160 Vdc, IE = 0)
MPSA42
MPSA43
ICBO
0.25
0.1
μ
Adc
Emitter Cutoff Current
(VEB =
3.0
Vdc, IC = 0)
(VEB = 4.0 Vdc, IC = 0)
MPSA42
MPSA43
IEBO
0.25
0.1
μ
Adc
ON CHARACTERISTICS(1)
DC Current Gain
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc)
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc)
(IC =
50
mAdc, VCE = 10 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 20 mAdc, IB = 2.0 mAdc)
hFE
25
80
25
250
MPSA42
MPSA43
VCE(sat)
0.5
0.4
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 20 mAdc, IB = 2.0 mAdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
VBE(sat)
0.9
Vdc
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC =
10
mAdc, VCE =
5
Vdc, f =
30
MHz)
fT
50
MHz
Collector–Base Capacitance
(VCB = 20 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
MPSA42
MPSA43
Ccb
3.0
4.0
pF
1. Pulse Test: Pulse Width
300 s, Duty Cycle
2.0%.
M C C
www.
mc c semi
.c om
MPSA42
thru
MPSA43
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MPSA42M1 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SO
MPSA42PH 功能描述:TRANS NPN HV 300V 500MA TO-92 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
MPSA42RA 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA42RA_Q 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA42RL1 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 300V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2