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参数资料
| 型号： | MPSW45RLRA |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | MPSW45RLRA |
MPSW45 MPSW45A
http://onsemi.com
913
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS(1)
DC Current Gain
(IC = 200 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
(IC = 500 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
(IC = 1.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
hFE
25,000
15,000
4,000
150,000
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 1.0 Adc, IB = 2.0 mAdc)
VCE(sat)
—
1.5
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 1.0 Adc, IB = 2.0 mAdc)
VBE(sat)
—
2.0
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = 1.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
VBE(on)
—
2.0
Vdc
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Current–Gain – Bandwidth Product
(IC = 200 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
fT
100
—
MHz
Collector–Base Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Ccb
—
6.0
pF
1. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms; Duty Cycle v 2.0%.
RS
in
en
IDEAL
TRANSISTOR
Figure 1. Transistor Noise Model
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW45ARLRM | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| MPSW45ARLRB | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW45RL | 1000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MPSW45RLREG | 功能描述:达林顿晶体管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSW51 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 40V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW51_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:One Watt High Current Transistors |
| MPSW51A | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 50V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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