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参数资料
| 型号： | MPSW45RLRA |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | MPSW45RLRA |
MPSW45 MPSW45A
http://onsemi.com
914
NOISE CHARACTERISTICS
(VCE = 5.0 Vdc, TA = 25°C)
Figure 2. Noise Voltage
f, FREQUENCY (Hz)
50
100
200
500
20
Figure 3. Noise Current
f, FREQUENCY (Hz)
Figure 4. Total Wideband Noise Voltage
RS, SOURCE RESISTANCE (k)
Figure 5. Wideband Noise Figure
RS, SOURCE RESISTANCE (k)
5.0
50
70
100
200
30
10
20
1.0
10
20
50 100 200 500 1k 2k
5k 10k 20k 50k 100k
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
BANDWIDTH = 1.0 Hz
RS ≈ 0
IC = 1.0 mA
100 A
10 A
BANDWIDTH = 1.0 Hz
IC = 1.0 mA
100 A
10 A
e n
,NOISE
VOL
TAGE
(nV)
i n
,NOISE
CURRENT
(pA)
2.0
5.0
10
20
50
100 200
500
1000
BANDWIDTH = 10 Hz TO 15.7 kHz
IC = 10 A
100 A
1.0 mA
8.0
10
12
14
6.0
0
4.0
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100
200
500 1000
2.0
BANDWIDTH = 10 Hz TO 15.7 kHz
10 A
100 A
IC = 1.0 mA
V T
,T
OT
AL
WIDEBAND
NOISE
VOL
TAGE
(nV)
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
10 20
50 100 200 500 1k 2k
5k 10k 20k 50k 100k
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW45ARLRM | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW45ARLRE | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW45ARLRB | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW45RL | 1000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW45RL1 | 1000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSW45RLRE | 功能描述:达林顿晶体管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSW45RLREG | 功能描述:达林顿晶体管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSW51 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 40V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW51_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:One Watt High Current Transistors |
| MPSW51A | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 50V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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