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参数资料
| 型号： | MPSW45RLRA |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | MPSW45RLRA |
MPSW45 MPSW45A
http://onsemi.com
915
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Figure 6. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
5.0
7.0
10
20
3.0
Figure 7. High Frequency Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 9. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (A)
2.0
200k
5.0
0.04
4.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
TJ = 25°C
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
1.5
2.0
2.5
3.0
1.0
0.5
|h
fe
|,SMALL-SIGNAL
CURRENT
GAIN
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
V CE
,COLLECT
OR-EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.1
0.2
0.4
1.0 2.0
4.0
10
20
40
Cibo
Cobo
0.5
1.0
2.0
0.5
10
20
50
100 200
500
VCE = 5.0 V
f = 100 MHz
TJ = 25°C
100k
70k
50k
30k
20k
10k
7.0k
5.0k
3.0k
2.0k
7.0 10
20
30
50 70 100
200 300
500
TJ = 125°C
25°C
-55°C
VCE = 5.0 V
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0
5.0 10 20 50 100 200 500 1000
TJ = 25°C
IC = 10 mA 50 mA
250 mA 500 mA
Figure 10. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 11. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.6
5.0
-1.0
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
7.0
10
20 30
50 70 100 200 300
500
VBE(sat) @ IC/IB = 1000
R
V,
TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
TJ = 25°C
VBE(on) @ VCE = 5.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 1000
-2.0
-3.0
-4.0
-5.0
-6.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
200 300
500
25°C TO 125°C
-55°C TO 25°C
*RqVC FOR VCE(sat)
qVB FOR VBE
25°C TO 125°C
-55°C TO 25°C
*APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE/3.0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW45ARLRM | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW45ARLRE | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW45ARLRB | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW45RL | 1000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW45RL1 | 1000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPSW45RLRE | 功能描述:达林顿晶体管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSW45RLREG | 功能描述:达林顿晶体管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MPSW51 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 40V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW51_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:One Watt High Current Transistors |
| MPSW51A | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 50V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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