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参数资料
| 型号： | MR25H256CDF |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 19/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 256KBIT 40MHZ 8DFN |
| 标准包装： | 490 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 40MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP，Small Flag（5x6） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 819-1038 |
MR25H256
7. REVISION HISTORY
Revision
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Date
Jan 15, 2010
Apr 8, 2010
Mar 3, 2011
May 14, 2011
Aug 11, 2011
Sept 1, 2011
November 18,
2011
October 19,
2012
April 17, 2013
Description of Change
Preliminary Information Release
Corrected READ and WRITE addressing from 24-bit to 15-bit. Removed commercial option.
Clarified language on status register WEL bit. Removed automotive option to seperate data-
sheet.
Datasheet released to production. Corrected various typos. Clarified block and status regis-
ter protection description. Specified maximum Power Supply Characteristics for production
parts.
Revised Power Supply Specification Table 3.4
Added AEC Q100 Grade 1 ordering option. Revised Table 3.1, Table 3.2, Table 4.4 Note 2,
Figure 5.1 and Table 5.1.
Corrected V OL in Table 3.3 to read V OL Max = V SS + 0.2v. Operating Conditions Power Supply
Voltage for AEC-Q100 Grade1revised to 3.0-3.6v. Table 4.4: Output Valid t V specifications
revised to include V DD ranges for Industrial and AEC-Q100 Grade 1 options. Corrected SI
waveform in Figure 2.8. New Small Flag DFN package option added to Page 1 Features and
available parts Table 5.1. DFN Small Flag drawing and dimensions table added as Figure 6.2.
Figure 6.1, DFN Package, cleaned up with better quality drawing and dimension table.
Reformatted parametric tables. Table 5.1 Available Parts Revised: Removed MDF and MDFR
options. MDC and MDCR options are now fully qualified. Added DFN illustrations. Revised
8-DFN package drawing to show correct proportion for flag and package. Corrected V DD
range for AEC-Q100 t V parameter.
Added Automotive Grade AEC-Q100 Grade 1 for Small Flag DFN package as qualified mass
production product.
Copyright ? Everspin Technologies 2013
19
MR25H256 Rev. 9, 4/2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MR25H40CDF | IC MRAM 4MBIT 40MHZ 8DFN |
| MR2A08AMYS35R | IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP |
| MR2A16ATS35CR | IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP |
| MR2A16AVMA35R | IC MRAM 4MBIT 35NS 48BGA |
| MR4A08BCYS35R | IC MRAM 16MBIT 35NS 44TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MR25H256CDFR | 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H256MDC | 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H256MDCR | 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H256MDF | 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI Pre-Qual Sample MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H256MDFR | 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI Pre-Qual Sample MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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