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参数资料
| 型号： | MR756G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 96K |
| 描述： | DIODE STD REC 6A 600V AXIAL |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 21/Jun/2007 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 6A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 900mV @ 6A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 25µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 按钮，轴向 |
| 供应商设备封装： | Microde 按钮 |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | MR756GOS |
MR750 SERIES
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Characteristic
Symbol
MR750
MR751
MR752
MR754
MR756
MR760
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
50
100
200
400
600
1000
V
Non?Repetitive Peak Reverse Voltage
(Halfwave, single phase, 60 Hz peak)
VRSM
60
120
240
480
720
1200
V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
35
70
140
280
420
700
V
Average Rectified Forward Current
(Single phase, resistive load, 60 Hz)
(See Figures 5 and 6)
IO
22 (TL
= 60
°C, 1/8 in Lead Lengths)
6.0 (TA
= 60
°C, P.C. Board mounting)
A
Non?Repetitive Peak Surge Current
(Surge applied at rated load conditions)
IFSM
400 (for 1 cycle)
A
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
65 to +175
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic and Conditions
Symbol
Max
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage Drop (iF
= 100 A, T
J
= 25
°C)
vF
1.25
V
Maximum Forward Voltage Drop (IF
= 6.0 A, T
A
= 25
°C, 3/8 in leads)
VF
0.90
V
Maximum Reverse Current TJ
= 25
°C
(Rated DC Voltage) TJ
= 100
°C
IR
25
1.0
A
mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HR-4/5AUL2X5 | BATT PACK 12.0V 4/5A NIMH |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MR756G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Fast Recovery Power Rectifier |
| MR756RL | 功能描述:整流器 600V 6A Silicon RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MR756RLG | 功能描述:整流器 600V 6A Silicon RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MR756-T3 | 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:6.0A STANDARD DIODE |
| MR758 | 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:Diffused Junction Silicon Transistor |
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