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参数资料
| 型号： | MRF166W |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | CASE 412-01, 4 PIN |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 206K |
| 代理商： | MRF166W |
MRF166W–500MHZ M J B
Figure 8. MRF166W Circuit Board Photomaster
(Scale 1:1)
NOTES: 1) 3 X 5 inch Glass Teflon 32 Mil Board, Copper Both Sides
NOTES: 2) Small Holes are 40 Mils ID and Plated Through
NOTES: 3) Large Holes are 140 Mils ID and Plated Through
Figure 9. MRF166W Test Fixture
6
REV 3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF171 | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF175GU | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF175GV | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF177 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF18030ALR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF171 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF171A | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF171AMP | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET |
| MRF172 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF173 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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