收藏本站
参数资料
型号： MRF166W
元件分类： 功率晶体管
英文描述： 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封装： CASE 412-01, 4 PIN
文件页数： 8/10页
文件大小： 206K
代理商： MRF166W
Table 1. Common Source S–Parameters (VDS = 24 V, ID = 230 mA)
f
S11
S21
S12
S22
f
MHz
|S11|
φ
|S21|
φ
|S12|
φ
|S22|
φ
30
0.554
–85
20.30
128
0.044
28
0.628
–121
40
0.775
–113
20.00
113
0.040
26
0.632
–123
50
0.758
–124
17.50
107
0.041
20
0.652
–135
60
0.711
–132
14.60
100
0.050
20
0.570
–135
70
0.751
–139
12.70
100
0.042
11
0.666
–145
80
0.742
–143
11.30
95
0.043
9
0.666
–149
90
0.724
–146
10.00
92
0.042
8
0.657
–151
100
0.730
–149
8.97
90
0.042
6
0.663
–154
110
0.735
–151
8.29
87
0.043
3
0.683
–156
120
0.732
–153
7.53
84
0.042
2
0.666
–158
130
0.734
–155
7.01
83
0.042
1
0.688
–159
140
0.740
–156
6.57
81
0.043
0
0.701
–160
150
0.747
–157
6.01
78
0.042
–2
0.688
–162
160
0.748
–159
5.66
76
0.041
–4
0.715
–162
170
0.741
–160
5.22
76
0.040
–4
0.690
–161
180
0.746
–160
4.94
74
0.041
–4
0.719
–164
190
0.753
–161
4.67
73
0.041
–6
0.725
–165
200
0.756
–162
4.51
70
0.040
–7
0.729
–166
210
0.755
–162
4.15
69
0.039
–8
0.727
–165
220
0.759
–163
3.91
68
0.039
–8
0.724
–166
230
0.767
–163
3.75
65
0.039
–10
0.751
–169
240
0.769
–164
3.56
64
0.038
–12
0.733
–167
250
0.766
–164
3.41
63
0.037
–12
0.726
–167
260
0.767
–165
3.26
63
0.035
–10
0.725
–167
270
0.773
–165
3.07
61
0.035
–10
0.725
–167
280
0.777
–165
3.03
61
0.035
–11
0.753
–167
290
0.777
–166
2.89
58
0.034
–13
0.732
–169
300
0.782
–166
2.80
57
0.034
–11
0.744
–169
310
0.788
–166
2.66
57
0.034
–12
0.764
–169
320
0.794
–167
2.54
55
0.033
–12
0.760
–167
330
0.796
–167
2.47
54
0.032
–13
0.787
–169
340
0.795
–168
2.38
54
0.031
–13
0.753
–170
350
0.799
–168
2.27
52
0.030
–11
0.772
–168
360
0.804
–168
2.17
51
0.030
–11
0.782
–169
370
0.805
–168
2.15
50
0.030
–11
0.796
–169
380
0.807
–169
2.06
48
0.029
–12
0.782
–170
390
0.812
–169
2.00
48
0.028
–12
0.796
–170
400
0.818
–170
1.91
47
0.027
–10
0.784
–168
410
0.821
–170
1.86
46
0.029
–11
0.830
–170
420
0.821
–170
1.83
44
0.028
–11
0.823
–171
430
0.822
–171
1.74
44
0.026
–9
0.791
–170
440
0.826
–171
1.67
43
0.025
–7
0.788
–170
7
REV 3
相关PDF资料
PDF描述
MRF171 VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF175GU 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF175GV UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF177 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF18030ALR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
MRF171 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF171A 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF171AMP 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET
MRF172 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF173 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*