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参数资料
| 型号： | MRF18090AR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 641K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.81GHz |
| 增益： | 13.5dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 750mA |
| 功率 - 输出： | 90W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-880 |
| 供应商设备封装： | NI-880 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
MRF18090AR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
1W
Pin=3.65W
Figure 5. Power Gain versus
Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
10
Figure 6. Output Power versus Supply Voltage
0
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
120
40
G
ps
, POWER GAIN (dB)
100 3012
14
16
18 3220 2422
26
28
0.1
P
Figure 7. Output Power versus Frequency
100
f, FREQUENCY (GHz)
0
Figure 8. Output Power and Efficiency
versus Input Power
Pin, INPUT POWER (WATTS)
20
1.795 01.815
1.835
1.855 1.875
1.895
15
1
120
20
30
20
60
50
40
10
0
2
Figure 9. Wideband Gain and IRL
(at Small Signal)
15
f, FREQUENCY (GHz)
6
1.75
12
1.95
1.80 1.901.85
10
13
16
14
500 mA
300 mA
750 mA
IDQ
= 1000 mA
345
60
50
30
10
0
η
VDD
=26Vdc
f = 1880 MHz
11
12
80
, OUTPUT POWER (WATTS)
out
2W
Pin=3.65W
IDQ
= 750 mA
f = 1880 MHz
1W
P , OUTPUT POWER (WATTS)
out
60
80
70
VDD
=26Vdc
IDQ
= 750 mA
2W
60
40
80
100
P , OUTPUT POWER (WATTS)
out
20
Pout
VDD
=26Vdc
IDQ
= 750 mA
f = 1880 MHz
G
ps
, POWER GAIN (dB)
0
-- 1 5
-- 2 5
-- 3 0
-- 2 0
-- 5
-- 1 0
VDD
=26Vdc
IDQ
= 750 mA
40
9
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
1.0
100
90
IRL
Gps
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF19030LSR5 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRF18090BSR3 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
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