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参数资料
| 型号： | MRF18090AR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 641K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.81GHz |
| 增益： | 13.5dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 750mA |
| 功率 - 输出： | 90W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-880 |
| 供应商设备封装： | NI-880 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
MRF18090AR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 465B--03
ISSUE D
NI--880
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M--1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
4. RECOMMENDED BOLT CENTER DIMENSION OF
1.16 (29.57) BASED ON M3 SCREW.
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
1.335 1.345 33.91 34.16
B
0.535 0.545 13.6 13.8
C
0.147 0.200 3.73 5.08
D
0.495 0.505 12.57 12.83
E
0.035 0.045 0.89 1.14
F
0.003 0.006 0.08 0.15
G
1.100 BSC 27.94 BSC
H
0.057 0.067 1.45 1.70
K
0.175 0.205 4.44 5.21
N
0.871 0.889 19.30 22.60
Q
.118 .138 3.00 3.51
R
0.515 0.525 13.10 13.30
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
1
3
2
D
G
K
C
E
H
F
Q
2X
bbb BT
A
M
M
M
bbb BT
A
M
M
M
B
B
(FLANGE)
T
SEATING
PLANE
ccc BT
A
M
M
M
bbb BT
A
M
M
M
AA
(FLANGE)
N
(LID)
M
(INSULATOR)
S
(INSULATOR)
aaa BT
A
M
M
M
R
(LID)
ccc BT
A
M
M
M
S
0.515 0.525 13.10 13.30
M
0.872 0.888 22.15 22.55
aaa
0.007 REF 0.178 REF
bbb
0.010 REF 0.254 REF
ccc
0.015 REF 0.381 REF
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF19030LSR5 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF18090AS | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:1.80 - 1.88 GHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETS |
| MRF18090B | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF18090BR3 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF18090BS | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF18090BSR3 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
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