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参数资料
| 型号： | MRF19045LR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/10页 |
| 文件大小： | 383K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 14.5dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 550mA |
| 功率 - 输出： | 45W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-400 |
| 供应商设备封装： | NI-400-240 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF19045LR3 MRF19045LSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PRODUCT DOCUMENTATION
Refer to the following documents to aid your design process.
Application Notes
?
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
Engineering Bulletins
?
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
9
Oct. 2008
?
Modified data sheet to reflect RF Test Reduction described in Product and Process Change Notification
number, PCN12779, p. 1, 2
?
Data sheet archived. Part no longer manufactured.
?
Added Product Documentation and Revision History, p. 9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF19085LR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780 |
| MRF19090SR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S |
| MRF19125R5 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 |
| MRF21010LSR1 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360S |
| MRF21030LR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF19045LR3_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF19045LR3_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
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| MRF19045LSR3 | 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
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