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参数资料
| 型号： | MRF19045LR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 383K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 14.5dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 550mA |
| 功率 - 输出： | 45W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-400 |
| 供应商设备封装： | NI-400-240 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF19045LR3 MRF19045LSR3
Table 4. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Drain-Source Breakdown Voltage
(VGS
= 0 Vdc, I
D
= 100
μAdc)
V(BR)DSS
65
?
?
Vdc
Zero Gate Voltage Drain Current
(VDS
= 26 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
?
10
μAdc
Gate-Source Leakage Current
(VGS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
IGSS
?
?
1
μAdc
On Characteristics (DC)
Gate Threshold Voltage
(VDS
= 10 Vdc, I
D
= 100
μAdc)
VGS(th)
2
?
4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(VDS
= 26 Vdc, I
D
= 550 mAdc)
VGS(Q)
3
3.8
5
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(VGS
= 10 Vdc, I
D
= 1 Adc)
VDS(on)
?
0.19
0.21
Vdc
Forward Transconductance
(VDS
= 10 Vdc, I
D
= 2 Adc)
gfs
?
4.2
?
S
Dynamic Characteristics
Reverse Transfer Capacitance (1)
(VDS
= 26 Vdc, V
GS
= 0, f = 1.0 MHz)
Crss
?
1.8
?
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) 2-carrier N-CDMA, 1.2288 MHz Channel Bandwidth, IM3 measured in
1.2288 MHz Integrated Bandwidth. ACPR measured in 30 kHz Integrated Bandwidth.
Common-Source Amplifier Power Gain
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 9.5 W Avg, 2-Carrier N-CDMA,
IDQ
= 550 mA, f1 = 1930 MHz, f2 = 1932.5 MHz)
Gps
13
14.5
?
dB
Drain Efficiency
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 9.5 W Avg, 2-Carrier N-CDMA,
IDQ
= 550 mA, f1 = 1930 MHz, f2 = 1932.5 MHz)
η
21
23.5
?
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 9.5 W Avg, 2-Carrier N-CDMA,
IDQ
= 550 mA, f1 = 1930 MHz, f2 = 1932.5 MHz; IM3 Measured in
a 1.2288 MHz Integrated Bandwidth Centered at f1 -2.5 MHz and
f2 +2.5 MHz, Referenced to the Carrier Channel Power)
IM3
?
-37
-35
dBc
Adjacent Channel Power Ratio
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 9.5 W Avg, 2-carrier N-CDMA, I
DQ
= 550 mA,
f1 = 1930 MHz, f2 = 1932.5 MHz; ACPR measured in a 30 kHz
Integrated Bandwith Centered at f1 -885 kHz and f2 +885 kHz)
ACPR
?
-51
-45
dBc
Input Return Loss
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 9.5 W Avg, 2-Carrier N-CDMA,
IDQ
= 550 mA, f1 = 1930 MHz, f2 = 1932.5 MHz)
IRL
?
-16
-9
dB
Pout, 1 dB Compression Point
(VDD
= 26 Vdc, I
DQ
= 550 mA, f = 1930 MHz)
P1dB
?
45
?
W
1. Part is internally matched both on input and output.
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