参数资料
型号: MRF19090SR3
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 4/9页
文件大小: 329K
描述: IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S
标准包装: 250
晶体管类型: LDMOS
频率: 1.93GHz
增益: 11.5dB
电压 - 测试: 26V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 750mA
功率 - 输出: 90W
电压 - 额定: 65V
封装/外壳: NI-880S
供应商设备封装: NI-880S
包装: 带卷 (TR)
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF19090SR3
Figure 2. MRF19090 Test Circuit Component Layout
RFB1
L1
C13 C14
C19
C9 C10
RFB2
C7
C8
R1
C2
C1
0.14λ
0.212λ
R2
C3
C4
C18
C16 C17
RFB4
C15
RFB3
C11 C12
C6
C5
L2
CUTOUT
MRF19090
Freescale has begun the transition of marking Printed Circuit Boards (PCBs) with the Freescale Semiconductor
signature/logo. PCBs may have either Motorola or Freescale markings during the transition period. These changes will have
no impact on form, fit or function of the current product.
LIFETIME BUY
LAST ORDER 3 OCT 08 LAST SHIP 14 MAY 09
相关PDF资料
PDF描述
MRF19125R5 IC MOSFET RF N-CHAN NI-880
MRF21010LSR1 IC MOSFET RF N-CHAN NI-360S
MRF21030LR3 IC MOSFET RF N-CHAN NI-400
MRF21045LR5 IC MOSFET RF N-CHAN NI-400
MRF21085LSR3 IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S
相关代理商/技术参数
参数描述
MRF19120 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF19120S 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF19125 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-391
MRF19125R3 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF19125R5 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR