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参数资料
| 型号： | MRF21010 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | CASE 360B-05, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 542K |
| 代理商： | MRF21010 |
MRF21010LR1 MRF21010LSR1
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain-Source Breakdown Voltage
(V
GS
= 0 Vdc, I
D
=10
μ
A)
V
(BR)DSS
65
—
—
Vdc
Zero Gate Voltage Drain Current
(V
DS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
Gate-Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 V, I
D
= 50
μ
A)
V
GS(th)
2.5
3
4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 28 V, I
D
= 100 mA)
V
GS(Q)
2.5
4
4.5
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(V
GS
= 10 V, I
D
= 0.5 A)
V
DS(on)
—
0.4
0.5
Vdc
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 V, I
D
= 1 A)
g
fs
—
0.95
—
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 28 Vdc, V
GS
= 0, f = 1 MHz)
C
rss
—
1
—
pF
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture, 50 ohm system)
Two-Tone Common Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 10 W PEP, I
DQ
= 100 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2170 MHz, Tone Spacing = 100 KHz)
G
ps
12
13.5
—
dB
Two-Tone Drain Efficiency
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 10 W PEP, I
DQ
= 100 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2170 MHz, Tone Spacing = 100 KHz)
η
31
35
—
%
Third Order Intermodulation Distortion
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 10 W PEP, I
DQ
= 100 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2170 MHz, Tone Spacing = 100 KHz)
IMD
—
- 35
-30
dBc
Input Return Loss
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 10 W PEP, I
DQ
= 100 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2170 MHz, Tone Spacing = 100 KHz)
IRL
—
-12
-10
dB
Output Power, 1 dB Compression Point, CW
(V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 100 mA, f = 2170 MHz)
P1dB
—
11
—
W
Common-Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 10 W CW, I
DQ
= 100 mA,
f = 2170 MHz)
G
ps
—
12
—
dB
Drain Efficiency
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 10 W CW, I
DQ
= 100 mA,
f = 2170 MHz)
η
—
42
—
%
Output Mismatch Stress
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 10 W CW, I
DQ
= 100 mA,
f = 2170 MHz, VSWR = 10:1, All Phase Angles at Frequency
of Tests)
Ψ
No Degradation In Output Power
Before and After Test
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
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PDF描述 |
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