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参数资料
型号： MRF21010
厂商： MOTOROLA INC
元件分类： 功率晶体管
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封装： CASE 360B-05, 3 PIN
文件页数： 7/8页
文件大小： 542K
代理商： MRF21010
7
MRF21010LR1 MRF21010LSR1
MOTOROLA RF DEVICE DATA
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 360B-05
ISSUE F
NI-360
MRF21010LR1
G
E
C
SEATING
PLANE
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
K
M
N
MIN
0.795
0.225
0.125
0.210
0.055
0.004
0.562 BSC
0.077
0.220
0.355
0.357
MAX
0.805
0.235
0.175
0.220
0.065
0.006
MIN
20.19
5.72
3.18
5.33
1.40
0.10
14.28 BSC
1.96
5.59
9.02
9.07
MAX
20.45
5.97
4.45
5.59
1.65
0.15
MILLIMETERS
INCHES
0.087
0.250
0.365
0.363
2.21
6.35
9.27
9.22
Q
R
S
0.125
0.227
0.225
0.005 REF
0.010 REF
0.015 REF
0.135
0.233
0.235
3.18
5.77
5.72
0.13 REF
0.25 REF
0.38 REF
3.43
5.92
5.97
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
1
2
3
Q
2X
M
A
M
aaa
B
M
T
NOTES:
1. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
aaa
bbb
ccc
M
A
M
bbb
B
M
T
D
2X
K
2X
B
(FLANGE)
H
F
M
A
M
ccc
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
A
M
(INSULATOR)
A
T
N
(LID)
M
A
M
ccc
B
M
T
(LID)
S
(INSULATOR)
M
A
M
aaa
B
M
T
360C-05
ISSUE D
NI-360S
MRF21010LSR1
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
DIM
A
B
C
D
E
F
H
K
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N
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E
C
SEATING
PLANE
2
1
NOTES:
1. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
S
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aaa
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H
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M
A
M
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M
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(INSULATOR)
M
A
M
aaa
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
D
2X
B
(FLANGE)
M
A
M
ccc
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
M
(INSULATOR)
T
(LID)
A
(FLANGE)
A
K
2X
PIN 3
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
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PDF描述
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