参数资料
型号: MRF21180
厂商: MOTOROLA INC
元件分类: 功率晶体管
英文描述: RF Power Field Effect Transistor
中文描述: 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封装: NI-1230, CASE 375D-04, 5 PIN
文件页数: 7/12页
文件大小: 520K
代理商: MRF21180
7
MRF21180R6
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
20
70
0
20
10
20
30
40
50
60
15
10
5
0
5
10
15
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Gp
Figure 9. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 10. Two-Tone Broadband Performance
Gp
η
I
I
f, FREQUENCY (MHz)
I
I
Figure 11. Intermodulation Distortion
Products versus Two-Tone Spacing
f, TONE SEPARATION (MHz)
I
I
Figure 12. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
f, FREQUENCY (MHz)
(
IM3 @
3.84 MHz BW
+IM3 @
3.84 MHz BW
ACPR @
3.84 MHz BW
+ACPR @
3.84 MHz BW
f1
3.84 MHz BW
f2
3.84 MHz BW
220
11
12.5
10
I
DQ
= 2100 mA
1900 mA
1700 mA
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
12.25
12
11.75
11.5
11.25
100
1500 mA
1300 mA
G
ps
2190
10
35
2090
33
8
IRL
η
IMD
V
DD
= 28 Vdc
P
out
= 170 W (PEP)
I
DQ
(I
CQ
) = 1700 mA
f1 = f 5 MHz, f2 = f + 5 MHz
30
13
25
18
20
23
15
28
2170
2150
2130
2110
20
55
25
0.1
3rd Order
V
DD
= 28 Vdc
P
out
= 170 W (PEP)
I
DQ
= 1700 mA
f1 = 2140 MHz f/2, f2 = 2140 MHz + f/2
30
35
40
45
50
10
1
5th Order
7th Order
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相关PDF资料
PDF描述
MRF21180R6 RF Power Field Effect Transistor
MRF224 40W, 175MHz RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF240 RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON
MRF247 RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF2628 RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
相关代理商/技术参数
参数描述
MRF21180R6 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF21180R6_06 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF212 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel
MRF221 功能描述:射频双极电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray
MRF224 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel