型号: | MRF581 |
厂商: | MICROSEMI CORP |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
中文描述: | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | MACRO-X-4 |
文件页数: | 3/6页 |
文件大小: | 240K |
代理商: | MRF581 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
MRF581A | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
MRF904 | 2 MEGABIT 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION |
MRF951 | CAP CERAMIC 4PF 25V C0G 0201 |
MS-136-C(P) | Coaxial Switches |
MS-136 | Coaxial Switches |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
MRF581_08 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
MRF5811LT1 | 制造商:Motorola Inc 功能描述:UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SOT-143 |
MRF5812 | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
MRF5812G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF5812G - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
MRF5812GR1 | 功能描述:TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极 (Ic)(最大):45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |