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参数资料
| 型号： | MRF581 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MACRO-X-4 |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 240K |
| 代理商： | MRF581 |
MSC1318.PDF 10-25-99
MRF581/MRF581A
PIN 1. COLLECTOR
2. EMITTER
3. BASE
4. EMITTER
1.
2.
3.
4.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF581A | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| MRF904 | 2 MEGABIT 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION |
| MRF951 | CAP CERAMIC 4PF 25V C0G 0201 |
| MS-136-C(P) | Coaxial Switches |
| MS-136 | Coaxial Switches |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF581_08 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| MRF5811LT1 | 制造商:Motorola Inc 功能描述:UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SOT-143 |
| MRF5812 | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MRF5812G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF5812G - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
| MRF5812GR1 | 功能描述:TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
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