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参数资料
| 型号： | MRF5P21045NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 417K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH TO-270-4 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 14.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 500mA |
| 功率 - 输出： | 10W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF5P21045NR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
ps
, POWER GAIN (dB)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
?20
?8
?11
?14
?17
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
?22
?10
?13
?16
?19
2220
2060
IRL
Gps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 5. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance
@ Pout
= 10 Watts Avg.
2200
2180
2160
2140
2120
2100
2080
13.4
15.2
15
?44
32
28
24
20
16
?32
?36
?40
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 6. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance
@ Pout
= 20 Watts Avg.
Figure 7. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 8. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
100
11
17
1
IDQ
= 800 mA
650 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
15
13
12
10
?40
?10
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
10
?20
?30
100
?60
?50
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
14.8
14.6
14.4
14.2
14
13.8
13.6
?28
2220
2060 22002080
2100
2120
2140
2160
2180
13
14.8
?34
46
42
38
34
30
?22
?26
?30
14.4
14.2
14
13.8
13.6
13.4
13.2
?18
14.6
IRL
Gps
ACPR
IM3
ηD
16
14
IDQ
= 200 mA
650 mA
800 mA
500 mA
350 mA
VDD
= 28 Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two?Tone Measurements
?7
VDD= 28 Vdc, Pout
= 10 W (Avg.)
IDQ
= 500 mA, 2?Carrier W?CDMA
10 MHz Carrier Spacing, 3.84 MHz
Channel Bandwidth, PAR = 8.5 dB @
0.01% Probability (CCDF)
?5
VDD= 28 Vdc, Pout
= 20 W (Avg.)
IDQ
= 500 mA, 2?Carrier W?CDMA
10 MHz Carrier Spacing, 3.84 MHz
Channel Bandwidth, PAR = 8.5 dB @
0.01% Probability (CCDF)
300
500 mA
350 mA
200 mA
?70
VDD
= 28 Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two?Tone Measurements
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