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参数资料
| 型号： | MRF5P21045NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 417K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH TO-270-4 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 14.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 500mA |
| 功率 - 输出： | 10W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5P21045NR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 9. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
1 10010
?60
?20
0.1
TWO?TONE SPACING (MHz)
VDD
= 28 Vdc, P
out
= 45 W (PEP), I
DQ
= 500 mA
Two?Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2140 MHz
?30
?40
?50
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
Figure 10. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
40
54
P6dB = 47.74 dBm (74.82 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
52
46
42
29 31 33 35 37 3930 3432 36
Actual
Ideal
P1dB = 47.78 dBm (60.1 W)
50
44
48
38
28
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
Figure 11. 2-Carrier W-CDMA ACPR, IM3, Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
5
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
40
?10
?20
30
?30
?40
10
?50
1 10 100
20
VDD= 28 Vdc, IDQ
= 500 mA
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
2?Carrier W?CDMA, 10 MHz
Carrier Spacing, 3.84 MHz
Channel Bandwidth, PAR = 8.5 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
100
10
17
0.1
0
70
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 12. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 500 mA
f = 2140 MHz
10
1
16
15
14
13
12
50
40
30
20
10
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
TC
= ?30
C
IM3
ηD
85C
ACPR
?30C
25C
Gps
TC
= ?30
C
?30C
25C
25C
85C
85C
IM3?L
IM3?U
IM5?L
IM5?U
IM7?U
IM7?L
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 500 mA
Pulsed CW, 12 μsec(on), 1% Duty Cycle
f = 2140 MHz
P3dB = 48.38 dBm (68.8 W)
50
15
25
35
45
?15
?25
?35
?45
?55
C
25C
85
?30C
25C
25C
?30C
11
60
43
45
47
49
51
53
55
ηD
Gps
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