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参数资料
| 型号： | MRF5P21240HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 577K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 52W NI-1230 |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 13dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 2.2A |
| 功率 - 输出： | 52W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5P21240HR6
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Conditions
Class
Human Body Model (per JESD22-A114)
2 (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22-A115)
M3 (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22-C101)
C6 (Minimum)
Table 4. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics (1)
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
= 65 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
?
10
μAdc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
?
1
μAdc
Gate-Source Leakage Current
(VGS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
IGSS
?
?
1
μAdc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(1)
(VDS
= 10 Vdc, I
D
= 300
μAdc)
VGS(th)
2
2.8
4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(3)
(VDS
= 28 Vdc, I
D
= 2200 mAdc)
VGS(Q)
3
3.8
5
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(1)
(VGS
= 10 Vdc, I
D
= 3 Adc)
VDS(on)
?
0.26
0.3
Vdc
Forward Transconductance
(1)
(VDS
= 10 Vdc, I
D
= 3 Adc)
gfs
?
7.5
?
S
Dynamic Characteristics
(1,2)
Reverse Transfer Capacitance
(VDS
= 28 Vdc, V
GS
= 0, f = 1 MHz)
Crss
?
2.75
?
pF
Functional Tests (3)
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 2200 mA, P
out
= 52 W Avg., f1 = 2112.5 MHz, f2 =
2122.5 MHz and f1 = 2157.5 MHz, f2 = 2167.5 MHz, 2-Carrier W-CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth Carriers. ACPR measured in
3.84 MHz Channel Bandwidth @ ±5 MHz Offset. IM3 measured in 3.84 MHz Bandwidth @ ±10 MHz Offset. PAR = 8.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF.
Power Gain
Gps
12
13
?
dB
Drain Efficiency
ηD
22.5
24
?
%
Intermodulation Distortion
IM3
?
-36
-34
dBc
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
?
-39
-37
dBc
Input Return Loss
IRL
?
-12
-9
dB
1. Each side of device measured separately.
2. Part internally matched both on input and output.
3. Measurement made with device in push-pull configuration.
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PDF描述 |
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