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参数资料
| 型号： | MRF5P21240HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 577K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 52W NI-1230 |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 13dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 2.2A |
| 功率 - 输出： | 52W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5P21240HR6
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
0
30
1
?55
?25
15 ?40Gps
ACPR
IM3
20 ?35
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 8. 2-Carrier W-CDMA ACPR, IM3,
Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 2200 mA
D
25 ?30f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
2?Carrier W?CDMA, 10 MHz Carrier Spacing
3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
10 ?45
5 ?50
10
η
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 9. MTTF Factor versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than ±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by ID2
for MTTF in a particular application.
220
100 120 140 160 180 200
106
109
108
107
MTTF FACTOR (HOURS x AMPS
2
)
246810
0.0001
100
0
PEAK?TO?AVERAGE (dB)
Figure 10. CCDF W-CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 67% Clipping, Single-Carrier Test Signal
PROBABILITY (%)
10
1
0.1
0.01
0.001
Figure 11. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
f, FREQUENCY (MHz)
?110
?120
?70
?20
?80
?60
?50
(dB)
?90
?100
?40
?30
3.84 MHz
Channel BW
?IM3 in
3.84 MHz BW
+IM3 in
3.84 MHz BW
?ACPR in
3.84 MHz BW
+ACPR in
3.84 MHz BW
?25 2551510
20
0
?5
?10
?15
?20
W-CDMA TEST SIGNAL
W?CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz Channel
Bandwidth @ ±5 MHz Offset. IM3 Measured in
3.84 MHz Bandwidth @ ±10 MHz Offset. PAR =
8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
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PDF描述 |
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