- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录92 > MRF5P21240HR6 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CHAN 28V 52W NI-1230 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF5P21240HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 577K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 52W NI-1230 |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 13dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 2.2A |
| 功率 - 输出： | 52W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF5P21240HR6
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Z11, Z12 1.270″
x 0.058
″
Microstrip
Z13, Z14 0.250″
x 0.500
″
Microstrip
Z15, Z16 0.850″
x 0.150
″
Microstrip
Z17, Z18 0.535″
x 0.390
″
Microstrip
Z19, Z20 0.218″
x 0.080
″
Microstrip
Z24 0.825″
x 0.080
″
Microstrip
PCB Arlon GX-0300-55-22, 0.030″, εr
= 2.55
Figure 1. MRF5P21240HR6 Test Circuit Schematic
Z1 0.898″
x 0.080
″
Microstrip
Z2, Z23 0.775″
x 0.136
″
Microstrip
Z3, Z22 0.060″
x 0.080
″
Microstrip
Z4, Z21 1.867″
x 0.080
″
Microstrip
Z5, Z6 0.443″
x 0.080
″
Microstrip
Z7, Z8 0.100″
x 0.080
″
Microstrip
Z9, Z10 0.490″
x 0.540
″
Microstrip
R1
+
C17
C13
C5
Z11
Z1 Z2
RF
INPUT
C1
Z3 Z5
C2
Z4 Z6 Z10
Z12
Z15
Z16
C8
C12
+
C22
+
C27
+
C21
VSUPPLY
C4
Z13
Z17 Z21Z19
C3
Z14 Z18 Z22Z20
Z23
Z24
RF
OUTPUT
DUT
VBIAS
Z9
Z7
C9
+
C15
B1
R4
R2
+
C18
C14
C6
VBIAS
C10
+
C16
B2
R3
Z8
+
C20
+
C19
C7
C11
+
C26
+
VSUPPLY
C28
+
C25
+
C24
+
C23
Table 5. MRF5P21240HR6 Test Circuit Component Designations and Values
Part
Description
Part Number
Manufacturer
B1, B2
Short Ferrite Beads
2743019447
Fair Rite
C1, C2, C3, C4
18 pF Chip Capacitors
100B180JCA500X
ATC
C5, C6, C7, C8
6.8 pF Chip Capacitors
100B6R8JCA500X
ATC
C9, C10, C11, C12
0.1 μF Chip Capacitors
CDR33BX104AKWS
Kemet
C13, C14
1000 pF Chip Capacitors
100B102JCA500X
ATC
C15, C16
4.7 μF Tantalum Capacitors
T491C475M050
Kemet
C17, C18
10 μF Electrolytic Capacitors
EEV-HB1H100P
Panasonic
C19, C20, C21, C22
C23, C24, C25, C26
22 μF Tantalum Capacitors
T491X226K035AS4394
Kemet
C27, C28
100 μF Electrolytic Capacitors
517D107M050BB6A
Sprague
R1, R2
1.0 k, 1/8 W Chip Resistors
R3, R4
10 , 1/8 W Chip Resistors
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S19060MR1 | MOSFET RF N-CH 28V 12W TO-270-4 |
| MRF5S19060NBR1 | MOSFET N-CH 12W 28V TO-272-4 |
| MRF5S19090HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 18W NI-780S |
| MRF5S19100HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S |
| MRF5S19130HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 26W NI-880S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5P21240R6 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MRF5S18060N | 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述: |
| MRF5S18060NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1880MHZ 60W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S18060NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1880MHZ 60W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S19060MBR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 12W TO-272-4 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。