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参数资料
| 型号： | MRF5S21130HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 398K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 28W NI-880S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 13.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.2A |
| 功率 - 输出： | 28W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF5S21130HR3 MRF5S21130HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
2220
2060
IRL
Gps
7
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance
@ Pout
= 28 Watts Avg.
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
?30
?10
?15
?20
?25
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
VDD= 28 Vdc, Pout
= 28 W (Avg.), I
DQ
= 1200 mA
2?Carrier W?CDMA, 10 MHz Carrier Spacing,
3.84 MHz Channel Bandwidth, PAR = 8.5 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
2200
2180
2160
2140
2120
2100
2080
6
14
13
12
11
10
9
8
?44
35
30
25
20
?28
?32
?36
?40
1000
11
15
1
IDQ
= 1600 mA
1400 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 4. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
= 28 Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two?Tone Measurement, 10 MHz Tone Spacing
800 mA
1200 mA
1000 mA
10 100
14.5
14
13.5
13
12.5
12
11.5
1000
?65
?25
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 5. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
IMD, THIRD ORDER
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
100
10
?30
?35
?40
?45
?50
?55
?60
1000 mA
800 mA
IDQ
= 1600 mA
1200 mA
1400 mA
VDD
= 28 Vdc
f1 = 2135 MHz,
f2 = 2145 MHz
Two?Tone Measurement,
10 MHz Tone Spacing
110100
?60
?25
0.1
TWO?TONE SPACING (MHz)
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD,
?30
?35
?40
?45
?50
?55
47
57
33
Ideal
P1dB = 51.88 dBm (154.17 W)
Actual
Pin, INPUT POWER (dBm)
Figure 7. Pulse CW Output Power versus
Input Power
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1200 mA
Pulsed CW, 8
μ
sec(on), 1 msec(off)
f = 2140 MHz
P3dB = 52.58 dBm (181.1 W)
55
53
49
34 38 40 42 4535 36 37 39 41 43 44 46
3rd Order
5th Order
7th Order
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
51
VDD
= 28 Vdc, P
out
= 130 W (PEP), I
DQ
= 1200 mA
Two?Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2140 MHz
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