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参数资料
| 型号： | MRF6P18190HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 784K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 44W NI-1230 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.87GHz |
| 增益： | 15.9dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 2A |
| 功率 - 输出： | 44W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P18190HR6
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
1800
1840
1880
3.70 + j2.49
3.45 + j4.12
3.55 + j3.29
3.70 + j1.71
3.40 + j2.75
3.19 + j3.88
VDD
=28Vdc,IDQ
= 2000 mA, Pout
=44WAvg.
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to gate.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to drain.
Zload
f = 1800 MHz
Zsource
f = 1800 MHz
f = 1880 MHz
f = 1880 MHz
Zo
=5?
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
--
-- +
+
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6P21190HR6 | MOSFET RF N-CHAN 28V 44W NI-1230 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF6P21190HR6_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
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| MRF6P23190H_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
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