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参数资料
| 型号： | MRF6P21190HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 707K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 44W NI-1230 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 15.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.9A |
| 功率 - 输出： | 44W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6P21190HR6
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
-- 3 0
-- 1 0
-- 1 5
-- 2 0
-- 2 5
2220
2080
IRL
Gps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2--Carrier W--CDMA Broadband Performance @ Pout
= 44 Watts Avg.
VDD=28Vdc,Pout
=44W(Avg.),IDQ
= 1900 mA
2--Carrier W--CDMA, 10 MHz Carrier Spacing
2200
2180
2160
2140
2120
2100
4
20
18
16
14
12
10
8
6
-- 5 0
40
30
20
10
-- 1 0
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
3.84 MHz Channel Bandwidth, PAR = 8.5 dB
@ 0.01% Probability(CCDF)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
-- 3 0
-- 1 0
-- 1 5
-- 2 0
-- 2 5
2220
2080
IRL
Gps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. 2--Carrier W--CDMA Broadband Performance @ Pout
= 87 Watts Avg.
VDD=28Vdc,Pout
=87W(Avg.),IDQ
= 1900 mA
2--Carrier W--CDMA, 10 MHz Carrier Spacing
2200
2180
2160
2140
2120
2100
4
20
18
16
14
12
10
8
6
-- 4 0
50
40
30
20
0
-- 1 0
-- 2 0
-- 3 0
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
3.84 MHz Channel Bandwidth, PAR = 8.5 dB
@ 0.01% Probability(CCDF)
Figure 5. Two--Tone Power Gain versus
Output Power
10 300100
14
17
1
IDQ
= 2500 mA
2200 mA
VDD
= 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two--Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
16.5
16
15.5
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
G
ps
, POWER GAIN (dB)
14.5
15
1900 mA
1600 mA
1300 mA
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
-- 4 5
-- 3 0
1
IDQ
= 2500 mA
2200 mA
1300 mA
100
-- 3 5
-- 4 0
300
-- 5 5
-- 5 0
VDD
= 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two--Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
10
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
1900 mA
1600 mA
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6P23190HR6 | MOSFET RF N-CHAN 28V 40W NI-1230 |
| MRF6P24190HR5 | MOSFET RF N-CH 28V 190W NI-1230 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6P21190HR6_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF6P21190HR6_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF6P23190H_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF6P23190HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.3GHZ 40W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6P23190HR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.3GHZ 40W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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