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参数资料
| 型号： | MRF6P21190HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 707K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 44W NI-1230 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 15.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.9A |
| 功率 - 输出： | 44W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6P21190HR6
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 12. MTTF Factor versus Junction Temperature
250
108
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD
=28Vdc,Pout
= 44 W Avg., and
ηD
= 26.5%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
107
106
105
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
W--CDMA TEST SIGNAL
246810
0.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 13. CCDF W--CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 67% Clipping, Single--Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
Figure 14. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
f, FREQUENCY (MHz)
3.84 MHz
Channel BW
-- I M 3 i n
3.84 MHz BW
+IM3 in
3.84
MHz BW
--ACPR in
3.84 MHz BW
+ACPR in
3.84 MHz BW
PROBABILITY (%)
(dB)
+20
+30
0
-- 1 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 6 0
-- 7 0
-- 8 0
-- 2 0
-- 2 5 251510
20
5
0
-- 5
-- 1 0
-- 1 5
-- 2 0
-- 3 0
W--CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz Channel
Bandwidth @
±5 MHz Offset. IM3 Measured in
3.84 MHz Bandwidth @
±10 MHz Offset. PAR =
8.5 dB @ 0.01%
Probability on
CCDF
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6P23190HR6 | MOSFET RF N-CHAN 28V 40W NI-1230 |
| MRF6P24190HR5 | MOSFET RF N-CH 28V 190W NI-1230 |
| MRF6P27160HR6 | MOSFET RF N-CHAN 28V 35W NI-1230 |
| MRF6P3300HR5 | MOSFET RF N-CH 32V 300W NI-860C3 |
| MRF6P9220HR5 | MOSFET RF N-CH 28V 47W NI-860C3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6P21190HR6_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF6P21190HR6_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF6P23190H_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF6P23190HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.3GHZ 40W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6P23190HR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.3GHZ 40W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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