- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录93 > MRF6P9220HR5 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CH 28V 47W NI-860C3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF6P9220HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/12页 |
| 文件大小： | 458K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V 47W NI-860C3 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 20dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.6A |
| 功率 - 输出： | 47W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-860C3 |
| 供应商设备封装： | NI-860C3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF6P9220HR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
f
MHz
Zsource
Ω
Zload
Ω
850
865
880
3.50 - j7.10
3.03 - j6.98
3.59 - j7.07
6.04 - j0.49
6.83 - j1.14
7.41 - j1.19
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1600 mA, P
out
= 47 W Avg.
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to gate, balanced configuration.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to drain, balanced configuration.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
?
?+
+
Figure 16. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zo
= 10
Ω
Zload
Zsource
895
910 2.26 - j5.39
2.42 - j6.20 7.60 - j0.98
8.06 - j0.45
f = 910 MHz
f = 850 MHz
f = 850 MHz
f = 910 MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S18060NBR1 | MOSFET RF N-CH 26V 60W TO272-4 |
| MRF6S18100NR1 | MOSFET RF N-CH 28V 100W TO2704 |
| MRF6S18140HSR5 | MOSFET RF N-CH 28V ESD NI880S |
| MRF6S19060GNR1 | MOSFET RF N-CH 28V TO-270-2 GW |
| MRF6S19100GNR1 | MOSFET RF N-CH 28V TO-270-2 GW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6S18060MBR1 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S18060NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1880MHZ 60W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S18060NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1880MHZ 60W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S18060NR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S18100NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。