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参数资料
| 型号： | MRF6P9220HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 458K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V 47W NI-860C3 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 20dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.6A |
| 功率 - 输出： | 47W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-860C3 |
| 供应商设备封装： | NI-860C3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF6P9220HR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
?17
?11
?15
?70
910
18
850
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance
@ Pout
= 47 Watts Avg.
900
890
880
870
860
21
20.4
31
28
?55
?60
?65
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
19.2
18.9
18.3
20.7
20.1
19.8
29
27
?45
?9
?13
18.6
19.5
30
?50
?7
ALT1
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
?17
?11
?15
?60
910
18
850
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance
@ Pout
= 94 Watts Avg.
900
890
880
870
860
20
19.6
VDD= 28 Vdc, Pout
= 94 W (Avg.)
IDQ
= 1600 mA, N?CDMA IS?95
(Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes
42
39
?45
?50
?55
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
18.8
18.6
18.2
19.8
19.4
19.2
8 Through 13)
40
38
?35
?9
?13
18.4
19
41
?40
?7
ALT1
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
17
20.5
3
IDQ
= 2400 mA
2000 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
20
19
100
500
G
ps
, POWER GAIN (dB)
17.5
1600 mA
19.5
18.5
18
10
1200 mA
800 mA
VDD
= 28 Vdc, f1 = 879.95 MHz, f2 = 880.05 MHz
Two?Tone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
100
?20
?30
?40
?50
?60
10
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
?10
IDQ
= 800 mA
2000 mA
1200 mA
1600 mA
VDD
= 28 Vdc, f1 = 879.95 MHz, f2 = 880.05 MHz
Two?Tone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
500
5
2400 mA
VDD= 28 Vdc, Pout
= 47 W (Avg.)
IDQ
= 1600 mA, N?CDMA IS?95
(Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes
8 Through 13)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MRF6S18060NR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S18100NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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