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参数资料
| 型号： | MRF6S18060MBR1 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
| 封装： | PLASTIC, CASE 1484-04, 4 PIN |
| 文件页数： | 6/20页 |
| 文件大小： | 702K |
| 代理商： | MRF6S18060MBR1 |
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
14
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S18060MR1 MRF6S18060MBR1
Figure 24. Series Equivalent Source and Load Impedance — 1800 MHz
f
MHz
Zsource
Ω
Zload
Ω
1805
1840
4.16 - j7.56
3.56 - j7.21
3.89 - j7.40
3.29 - j4.91
3.10 - j4.69
2.88 - j4.45
VDD = 26 Vdc, IDQ = 600 mA, Pout = 65 W CW
1880
Zsource = Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Z source
Z load
Input
Matching
Network
Device
Under Test
Output
Matching
Network
Zo = 10 Ω
f = 1880 MHz
Zload
Zsource
f = 1805 MHz
f = 1880 MHz
f = 1805 MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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| MRF6S18100NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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